【2026年7月14日開催セミナーのアーカイブ配信】

CMP装置技術の実践知見：

200mm→300mm時代の装置進化・トラブル解決・Hybrid Bonding最前線

日時・受講料・お申込みフォーム

●視聴可能期間：2026年9月1日～2026年9月30日（申込締切：9月24日）
　＊2026年7月14日開催セミナーのアーカイブ配信です。期間中は何度も繰り返しご視聴できます。
　＊視聴に必要な情報（視聴URL、パスワード、資料のダウンロードリンクなど）は別途メールで送付いたします。
　　・8月27日の11:30より前にお申込みの方：9月1日に視聴用URLなどを送付予定です。
　　・8月27日の11:30以降にお申込みの方：お申込み後3日以内（土日祝除く営業日ベース）に視聴用URLを送付します。
　　　→4営業日経過しても視聴用URLがお手元に届かない場合、弊社までご一報ください。
　　連絡先：joho-lms@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

●動画時間：約3時間10分

●受講料：
【アーカイブ配信】：1名45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円

＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
　ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
　joho-lms@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。

→「LMS・アーカイブ配信申込要領・手順」を確認ください。

お申込みいただく前に　※かならずご一読ください。

●ご視聴の流れ：
・視聴に必要な情報（視聴URL、パスワード、資料のダウンロードリンクなど）は別途メールで送付いたします。
　8月27日の11:30より前にお申込みの方：9月1日に視聴用URLなどを送付予定です。
　8月27日の11:30以降にお申込みの方：お申込み後3日以内（土日祝除く営業日ベース）に視聴用URLを送付します。

・上記までにメールが届かない場合は迷惑メールフォルダ等ご確認のうえ、弊社まで必ずご一報ください。
　連絡先：joho-lms@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）
・視聴期間の延長は出来ませんので、ご了承ください。
・請求書は、別途郵送で送付いたします。

●配布資料
・PDFなどのデータで共有いたします（共有可能なもののみとなりますのでご了承ください）。
・配布資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●アーカイブ配信では原則講師へのご質問はお受けできませんのでご了承ください。

●事前に必ず以下のサンプルページより動作確認をしてからお申込みください。
情報機構テスト用動画へ→
パスワード：123456

●本セミナーで使用する資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売およびそれに類する行為を禁止いたします。

●動作確認やシステム設定に関するサポートは弊社では行っておりませんので、PC設定等のお問い合わせはご遠慮ください。

●お申込みに関してお問い合わせなどございましたら、下記メールアドレスまでご連絡ください。
joho-lms@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

セミナーポイント

○講師より／本セミナーのポイント
　CMP（化学機械研磨）工程は、半導体デバイスの多層配線形成において不可欠な平坦化プロセスです。200mm時代から300mm時代への移行に伴い、装置の大型化・高精度化が進み、研磨パッドやスラリー管理、終点検知技術など各要素が飛躍的に進化しました。特にCu配線プロセスの普及により、Cu CMPおよびCMP後洗浄の重要性が増し、欠陥低減と歩留まり向上が製造現場における最重要課題となっています。
　本セミナーでは、200mm装置から300mm装置への技術的進化を実務視点で解説するとともに、DISCO製装置を例にBonding関連プロセスの変遷も取り上げます。CMP装置の基礎から研磨メカニズム、パッド・スラリー管理、トラブル対策、CMP後洗浄設計まで、約20年のDRAM製造現場での実践知見をもとに体系的に解説します。

○受講後、習得できること
・200mm/300mm時代のCMP装置構成の違いと技術進化のポイントを説明できる
・研磨パッド・スラリー・終点検知の管理手法と実務上のトラブル対策を習得できる
・CMP後洗浄の設計思想とパーティクル・Cu腐食防止の実務対策を習得できる
・Wafer Bonding技術（Fusion Bonding・Hybrid Bonding）の種類と装置構成の概要を理解できる

セミナー内容

1. CMP工程の基礎と200mm→300mm装置進化
　1.1 CMP（化学機械研磨）とは何か：平坦化の目的と多層配線における役割
　1.2 半導体製造におけるCMPの位置づけ：STI・W・Cu各プロセスでの役割
　1.3 200mm時代の製造現場の実態：組織構成（ME/PEE/ATE）と交替制勤務・生産管理
　1.4 200mm→300mm装置の具体的な比較：研磨機構・プラテン数・HEAD構造の進化
　1.5 大口径化がもたらした技術課題：研磨均一性・スラリー供給設計・装置精度の変化

2. CMP成立のコア技術（パッド・スラリー・EPD）
　2.1 研磨パッドの状態管理：コンディショニング・立上げ・パッド寿命の見極め
　2.2 スラリー設計と選定ロジック：BPSG・STI・Cu・W各膜種ごとの使い分け
　2.3 EPD（終点検知）の原理と実務：Stop on Film / Stop in Film の使い分け
　2.4 膜種別EPD検出方法の違い：Cu膜（電流値変化）vs 酸化膜（光学式干渉）vs W膜
　2.5 研磨ヘッド（メンブレン・リテーナリング）の構造と圧力分布制御

3. CMPトラブルシューティング実践（事例中心）
　3.1 EPD・膜厚問題：研磨レート変動の要因（パッド寿命・ドレッサー・スラリー）と対策
　3.2 スクラッチ問題：研磨エリアでの発生メカニズム（パッド・スラリー・コンディショナー起因）
　3.3 スクラッチ改善事例：実務での原因特定プロセスと対策実績
　3.4 メンテナンス頻度問題：パッド・ドレッサー・リテーナリング交換サイクルと稼働率最適化

4. CMP後洗浄の設計と実務
　4.1 CMP後洗浄の設計思想：汚染除去機構と薬液設計
　4.2 異物除去（酸・アルカリ条件）とCu腐食防止の両立
　4.3 パーティクル問題：後洗浄不足を起因とした発生メカニズムと対策

5. Bonding技術の概要とBonding関連装置
　5.1 Bonding技術の種類と概要：Fusion BondingとHybrid Bondingの違い
　5.2 Bonding関連装置の役割：Edge Trim・バックグラインド装置の概要
　5.3.Hybrid Bondingプロセスの流れ：活性化・洗浄・接合の各工程

＜質疑応答＞