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★半導体製造に必要となる真空技術から枚葉型クラスター装置設計の考え方、真空蒸着・ＣＶＤ・ＡＬＤ・ドライエッチング等、
求められる装置および薄膜形成・加工技術を基礎から１日で学べます！
講師
工学院大学 応用物理学科 客員研究員
青山学院大学大学院 理工学専攻 機能物質創成コース 客員教授 博士（理学） 関口 敦 氏
＊ご略歴：
1982 年 4月 日電アネルバ株式会社（現キヤノンアネルバ株式会社） 入社
内 1990年4月から1992年7月まで新技術授業団（現科学技術振興機構）
ERATO 増原極微変換プロジェクト 研究員として出向
真空機器を基盤とした半導体集積回路素子，各種電子デバイスの製造装置，実験装置の研究･開発および事業化に従事
2016 年 3月 キヤノンアネルバ株式会社 定年退職
2016 年 4月 工学院大学 講師（化学） 就任 （2020年3月迄）
2020 年 4月 工学院大学 特任教授 就任 （2026年3月迄）
企業での産業機器の開発，事業化および技術者教育の実務経験を基に真空応用機器，作業安全教育などの教育を担当
2026 年 4月 工学院大学 応用物理学科 客員研究員 就任
現在に至る
2004 年 4月 青山学院大学大学院 非常勤講師 就任 （2024年3月31日迄）
フォトニックデバイス特論，無機材料化学などを担当
2023 年 4月 青山学院大学大学院 理工学研究科 客員教授 就任
現在に至る
2003 年3月 青山学院大学大学院より博士（理学）の学位を授与される。
2024 年5月 公益社団法人 日本表面真空学会より「真空と表面の匠」の称号を授与される。
授与理由：ＣＶＤ成膜装置の開発とＣＶＤ技術普及への貢献
＊ご専門および得意な分野・研究：
真空科学･真空技術／薄膜作製技術／各種電子機能デバイスの製造プロセス技術
＊本テーマ関連のご活動：
１．公益社団法人 日本表面真空学会 功労会員
教育･育成委員会委員，規格標準合同検討委員会委員
２．公益社団法人 日本化学会 終身会員
３．公益社団法人 応用物理学会 個人正会員
４．AVS（旧 American Vacuum Society） 会員
書籍
１．関口 敦：トコトンやさしい真空技術の本，日刊工業新聞社，ISBN978-4-526-08007-4.
２．関口 敦，他：ドライプロセスによる表面処理･薄膜形成の応用，ISBN978-4-339-04650-2.
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年11月10日(火) 10:00-17:00 ＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講】：1名55,000円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき44,000円
各種割引について
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
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・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
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セミナーポイント
昨今，経済安全保障の観点から半導体集積回路素子の製造を国内回帰させると共に各種電子機能デバイスの国内製造を推進する動きが加速している。一方，電子立国日本を支えてきた日本の製造技術は円高によるダメージが大きく，技術的な継承は円滑におこなわれていない。このため，現在，慢性的な技術者不足が発生している。
本セミナーでは半導体デバイスの薄膜製造技術に関して，薄膜素子の製造装置を開発･実用化してきた講師の経験を基に、若い技術者向けに技術伝承の目的を含めて解説する。今回は特にシリコン半導体集積回路素子の製造に必要な真空技術と，それを利用した薄膜形成技術を説明する。
具体的には真空蒸着，スパッタリング，ＣＶＤおよびＡＬＤなどの成膜技術とドライエッチングなどの薄膜加工技術である。また，これらの技術を支える最低限の真空工学に関して解説する。
○受講対象：
若手の半導体デバイスの開発技術者，製造技術者，プロセスエンジニア，真空産業機器の技術者および現場作業者を対象といたします。
また，半導体デバイス製造に興味を持っているマーケティング担当者および開発技術者にも役に立つ内容です。実際に真空機器を使用してお困りの方々，高周波を利用したプラズマでお困りの方々等にも役に立つようにまとめました。
○受講後、習得できること：
・薄膜形成技術向け真空工学（真空とは，真空を作る，真空を測る等）の基礎知識
・半導体デバイス製造向け薄膜形成技術（ＰＶＤ，ＣＶＤ，ＡＬＤおよびドライエッチング等）の基礎知識
・プロセスプラズマ（平行平板プラズマ，誘導結合プラズマ，高周波伝送技術等）の基礎知識
・薄膜形成向け化学反応解析（アレニウスプロット，ラングミュアの脱吸着過程等）と制御に関する基礎知識
・枚葉型クラスターツールの設計の考え方等，薄膜形成装置の基礎
セミナー内容
１．はじめに
1) 半導体電子デバイスを構成する薄膜技術：なぜ薄膜が必要なのか？
2) 薄膜とは？ 薄膜形成とドライプロセス
3) 真空技術の特徴と用途
２．半導体製造装置に求められる装置構成
1) バッチ式装置と枚葉式装置
(a) なぜ枚葉式を選択するのか？
2) 真空一貫プロセス：インライン型装置とクラスター型装置
(a) シリコン半導体集積回路素子の製造でクラスター型装置を選択する理由
(b) クラスター型装置における搬送室のアームの数と動作
(c) 搬送室の到達真空度の考え方（本講座 ６．3) 参照）
(d) ＰＶＤとＣＶＤの複合クラスターの考え方
３．薄膜作製技術
1) 真空蒸着
(a) なぜ真空が必要か？
2) スパッタリング
(a) 薄膜製造に使用されている理由：なぜ密着性の良い薄膜が得られるのか？
(b) プロセスプラズマの基礎
(c) 金属膜に使用する直流スパッタリング
(d) プレーナマグネトロンスパッタ技術
(e) 絶縁膜に使用する高周波スパッタリング：セルフバイアスの発生メカニズム
(f) バイアススパッタ技術
(g) リアクティブスパッタ技術
3) ＣＶＤ技術
(a) ＣＶＤの特徴と必要性：ＣＶＤを選択するときの理由
(b) 化学反応速度論の基礎：表面反応の確認手法
(c) ＣＶＤのプロセス解析：アレニウスプロット
(d) ＣＶＤプロセスウインドウの設計
(e) 良好なカバレッジや結晶特性を得るためには
(f) ＣＶＤ装置の設計：クラウジウス－クラペイロンプロット
(g) 励起状態を経由するＣＶＤ技術（プラズマ支援ＣＶＤ）
4) ＡＬＤ技術
(a) ＡＬＤの特徴と必要性
(b) ＡＬＤ技術と装置の特徴
(c) ＡＬＤで起きていること
４．薄膜加工技術 ドライエッチング
1) 反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の必要性：微細加工特性
2) 種々のエッチング装置
(a) ドライエッチング装置の構造
(b) 静電チャック
3) ドライエッチングの終点モニタ
4) スパッタエッチングの特性と必要性
５．ドライプロセスを支える真空技術の基礎
1) 圧力とは？ 真空の程度を表す指標である圧力 大気圧は変動する
2) 真空の分類
3) 真空下での気体の挙動と特徴
4) 平均自由行程と粘性流・分子流
5) 超高真空の必要性と分子の入射頻度
6) ガス流量を考える：安定したガス流用制御技術
６．真空技術の半導体産業応用
1) 純度を確保するためのガス配管管理：サイクリックパージ
2) 真空充填技術：液晶注入
3) 清浄表面の確保と真空：クラスター装置の設計指針
4) 成膜時の膜純度確保と真空：到達圧力の影響
5) ＣＶＤ原料の蒸発速度と飽和蒸気圧
6) 低蒸気圧の化学物質を取り扱う真空装置の設計
７．まとめ
1) 今後の製造産業を考える
＜質疑応答＞
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