……Zoomオンライン受講
……見逃し視聴選択可
・半導体材料中の欠陥起因準位と非発光再結合に着目し、熱発生・熱伝搬を高感度に評価する手法を解説。光ヘテロダイン光熱変位法による非発光再結合マッピングと熱拡散評価を学ぶ。
講師
宮崎大学 工学部工学科 半導体サイエンスプログラム担当 教授 博士（工学） 福山 敦彦 氏
講師紹介
2000年、東北大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程後期修了、博士（工学）。2007年より宮崎大学工学部准教授を経て、2016年より同学部工学科半導体サイエンスプログラム担当教授、現在に至る。2023年12月、みやざき半導体関連産業人材等育成コンソーシアム会長に就任。専門は半導体材料の評価、特に発光・非発光再結合に着目した評価手法の開発が専門。
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年11月25日(水) 13:00-16:30 ＊途中、小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
＊「見逃し視聴あり」でお申込の場合、当日のご参加が難しい方も後日セミナー動画の視聴が可能です。
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
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セミナーポイント
○講師より／本セミナーのポイント
半導体材料の欠陥制御は高性能な半導体デバイス実現に不可欠で、昨今の微細化技術の進展に伴い重要度が増している。そのためには欠陥の正体（微視的構造や特性）を明らかにすることが必須となるが、欠陥を介する電子遷移において支配的とされる非発光再結合の直接評価に関する報告は少ない。本講演では、当該研究室で行ってきた非発光再結合検出の成果を概説し、近年開発した光へテロダイン光熱変位法による非発光再結合マッピングについて、その結果や今後の展開について紹介する。
○主な受講対象者
・各企業の半導体材料開発部門の技術者、研究者
・半導体評価装置企業の技術者、研究者
・新材料開発に携わる技術者、研究者
・半導体材料の熱物性評価に興味ある技術者、研究者 等
○受講して、習得できること
・半導体材料中の発光・非発光再結合について
・深い欠陥準位における電子遷移について
・発光再結合を検出するフォトルミネッセンス法について
・非発光再結合を検出する光熱変換分光法について
・光へテロダイン光熱変位法と非発光再結合マッピングについて
セミナー内容
１．半導体材料中の欠陥起因準位について
1.1 結晶欠陥の種類
1.2 欠陥起因準位を介する電子遷移 ～フォトン放出（光）とフォノン放出（熱）～
1.3 代表的な深い欠陥準位EL2とその評価事例
２．非発光再結合を検出する手法について
2.1 フォトルミネッセンス法による間接的評価
2.2 光熱変換分光法による直接的評価 ～化合物半導体材料の評価事例～
３．光へテロダイン光熱変位法の新規開発
3.1 ヘテロダイン干渉技術による表面変位量検出
3.2 COMSOLを用いた理論計算との比較
3.3 表面変位量時間変化から分かること
3.4 各種半導体材料における非発光再結合マッピング事例
４．光ヘテロダイン光熱変位法を用いた熱拡散評価
4.1 光励起キャリア拡散と熱拡散の分離方法
4.2 励起光断続周波数による熱拡散長制御
4.3 励起光と検出光の位置制御による微小領域での熱拡散評価
５．おわりに ～光へテロダイン光熱変位法の今後の展開～
5.1 熱伝導率の面内分布解析
5.2 材料界面の界面熱抵抗解析
5.3 キャリアの発光・非発光エネルギー損失割合解析
＜質疑応答＞
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