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フォトレジスト材料の歴史と基礎を整理し、EUVレジスト特有のストカスティック課題、化学増幅型・メタル・ドライレジストの開発動向を解説。High-NA EUV、PFAS規制とPFASフリー化、CD-SEMを用いたメトロロジーまで幅広く紹介します。
講師
株式会社日立ハイテク
ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
事業戦略本部 主任技師（先端レジスト計測ソリューション担当） 藤森 亨 氏
【略歴】
埼玉大学にて学位・修士終了後。富士フイルム（株）に入社。有機合成化学研究所にて10年間新規化合物合成（主にフォトレジスト用材料）に従事後、エレクトロニクスマテリアルズ研究所に異動。イメージセンサー用カラーレジスト開発に6年間従事後、退職まで17年間半導体用フォトレジスト開発に従事。
2025年3月に富士フイルムを退職、2025年4月より（株）日立ハイテクに入社し、フォトレジスト材料知見を活かした先端レジスト計測ソリューション担当、現在に至る。2014年から2016年まで国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）にて、主任研究員としてEUVリソグラフィの基礎研究に従事。
【専門】
有機合成化学（低分子～高分子、設計から合成、機能物性測定まで）
リソグラフィ用フォトレジストの設計、開発、評価（KrF, ArF, EUV, EB）
デバイス技術動向や市場動向などのマーケティング。
日立ハイテク入社後は、各種解析、メトロロジーにも携わる。
【本テーマ関連学協会での活動】
〇MNC(International Microprocesses and Nanotechnology Conference), Program Committee, Patterning Materials section head.
〇IWAPS(International Workshop on Advanced Patterning Solution), International Advisory Committee Members.
〇JJAP 論文審査官
〇ACS 論文審査官
〇JVST 論文審査官
〇各種学会のTutorial講演、招待講演など
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年11月18日(水) 10:30-16:30 ＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 56,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円
＊「見逃し視聴あり」でお申込の場合、当日のご参加が難しい方も後日セミナー動画の視聴が可能です。
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
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配布資料・講師への質問など
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セミナーポイント
【受講に関する重要なご案内】
本セミナーは、日本国内から受講される方を対象としております。
外為法に基づく安全保障貿易管理上の観点から、海外からの受講はお断りしております。
■はじめに
2019年、30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついにEUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術はまだ序章に過ぎず、多くの課題を抱えており、現在もレジストメーカーによる活発な開発が行われている。言い換えると、EUVリソグラフィは、まだ大きな発展の余地を残しており、これらの課題を理解し、解決することが非常に重要である。
EUV用フォトレジスト材料も例外ではなく、多くの課題を抱えているが、その背景には、従来のフォトレジスト材料に比べ、EUVリソグラフィ特有の難度の高い課題が存在する。
本セミナーでは、従来のフォトレジスト材料の歴史を簡単に振り返りながら、EUV用フォトレジスト材料に特有の課題とその解決法の一端について解説する。また、化学増幅型レジスト（CAR）、近年話題のメタルレジスト（MOR）および新材料の最新動向と、PFAS規制がレジスト材料に与える影響についても解説する。
さらに、材料開発・評価に不可欠なメトロロジーについても一端を紹介する。
■想定される主な受講対象者
本テーマにご関心のある化学材料メーカー（特に原材料メーカー）や周辺部材メーカー、リソグラフィ業界にかかわりのある方、興味のある方々。特に、若手研究者やマーケティング担当従事者、新規分野探索担当の方など。また、新人教育や新たに担当になった方の導入にも最適です。
■本セミナーに参加して修得できること
フォトレジストの歴史、EUVレジストの課題、EUVレジストの開発状況
フォトレジスト用材料の特徴、リソグラフィ用メトロロジーの歴史
セミナー内容
1．私たちの世の中を取り巻く環境の変化
1）アナログからデジタルへ
2）電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化
3）各種半導体デバイスの開発動向
4）昨今話題の日本の半導体産業、RapidusやLSTCとは？
2．リソグラフィ微細化の歴史とフォトレジスト材料の基礎
1）リソグラフィとは？
2）リソグラフィプロセス概要
3）フォトレジストって何？どこに使われている？
4）なぜフォトレジストが必要か？
5）微細化を牽引するムーアの法則とは？
6）ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
7）簡単ではなかった露光波長短波化の歴史とパラダイムシフト
8）露光波長短波化を支えるフォトレジスト材料の進化
I-line → KrF → ArF → ArF液浸
9）フォトレジストのケミストリーと材料設計・合成の考え方
10）フォトレジストに用いられる材料の要求性能、不純物の管理と評価
11）ノボラック／NQDレジストと化学増幅型レジスト
12）化学増幅型レジストの誕生により実現したKrFレジスト
13）最初の化学増幅型レジストゆえの多彩なKrFレジストのプラットフォーム
14）昨今のKrFレジスト、アプリケーションの拡大（厚膜レジストの誕生）
15）ArFレジスト、露光波長の短波化により何が難しかったのか？
16）EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィ
17）ArF液浸リソグラフィ延命の切り札、Negative Tone Development（NTD）技術
18）ArF液浸NTDリソグラフィ適用により実現したマルチパターニングによる微細化
3．EUVリソグラフィとEUVレジスト
1）EUVリソグラフィの歴史
2）ムーアの法則は、いまだ健在か？さらなる微細化は必要なのか？
3）EUVリソグラフィは、なぜ必要なのか？
4）EUV実現のための3つの重要な要素とその重要度の推移
5）国家プロジェクトの必要性
6）国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）における基礎検討
・アウトガス課題の検討
・EUV露光機の開発
・メタルレジストの要素検討
7）従来のレジストと異なるEUVレジストの反応機構の特徴
8）EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か
9）リソグラフィ工程におけるストカスティック因子の分析
・フォトンストカスティックとケミカルストカスティック
10）ストカスティック因子を解決する手段の紹介
・フォトンストカスティック解消のための施策―EUV高吸収系
・ケミカルストカスティック（膜中分布）解消のためのコンセプト
・ケミカルストカスティック（溶解不均一）解消のためのコンセプト
11）化学増幅型レジストによる高性能化
12）限界といわれる化学増幅型レジストとメタルレジスト
13）High-NA EUVリソグラフィとレジスト材料に求められる性能
4．メタルレジストと次世代EUVレジストの最新動向
1）メタルレジストの誕生秘話と歴史
2）メタルレジストの特徴
3）メタルレジストの材料設計・合成と評価
4）メタルレジストの性能と最新開発動向
5）High-NA EUVに向けたメタルレジストの可能性と課題
6）ドライレジストとは何か？その特徴と実用化動向
7）有機分子を蒸着した次世代レジストなどの最新動向
5．PFAS規制の影響とPFASフリーレジストの開発
1）PFAS規制とは？
2）国内外におけるPFAS規制の最新動向
3）PFAS規制のレジスト材料への影響
4）PFASフリーレジストの材料設計
5）PFASフリーレジストの開発動向と課題
6．フォトレジスト材料開発に不可欠なメトロロジー（CD-SEM）
1）リソグラフィ開発に不可欠な計測、CD-SEM（測長SEM）
2）CD-SEMの歴史
3）CD-SEMに求められる性能と今後の展望
7．まとめ
1）フォトレジスト材料の開発・設計におけるポイント
2）EUVレジストの材料設計・合成・評価における課題
3）次世代EUVレジストとPFASフリーレジストの今後
4）ますます重要になるリソグラフィ計測
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